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EnglishElectrical properties of transparent conductive ZnO:B films, obtained by the low-pressure metal organic chemical vapor deposition (LP-MOCVD) technique, were monitored during the given time, and a heavy worsening of these properties was observed. At the same time, other ZnO:B samples subjected to a post-deposition treatment by argon plasma etching showed an appreciable enhancement of the electrical stability in the given time. A degradation mechanism, involving formation of O- adsorbate and its diffusion inside the grain boundary, is proposed as responsible of the carrier mobility worsening. Furthermore, the beneficial effect of the plasma treatment is explained in terms of a rearrangement of the grain boundary with a decrease of positively charged defect density and, consequently, a slowing down of O - formation rate. Finally, argon plasma post-deposition treatment is proposed as an effective process for obtaining ZnO:B films with an appreciable electrical stability in the given time. © 2013 American Chemical Society.
| Titolo: | Enhanced electrical stability of LP-MOCVD-deposited ZnO:B layers by means of plasma etching treatment | |
| Autori: | ||
| Data di pubblicazione: | 2013 | |
| Rivista: | ||
| Handle: | http://hdl.handle.net/20.500.12079/944 | |
| Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
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http://hdl.handle.net/20.500.12079/944
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